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Intel发布数据中心DC P3100 SSD:3D TLC闪存、写入低至55MB/s

Intel八月份一口气发布了六款固态硬盘产品,全线采用3D NAND立体闪存,分别面向消费级、嵌入式、商用等领域,现在针对数据中心的DC P3100系列又悄然上线了,闪存是3D TLC。

Intel发布数据中心DC P3100 SSD:3D TLC闪存、写入低至55MB/s

Intel表示,这是其首款PCI-E M.2(单面2280)规格数据中心硬盘(之前多是PCI-E/U.2),容量有128GB、256GB、512GB、1TB四种,性能差别较大,具体如下:

Intel发布数据中心DC P3100 SSD:3D TLC闪存、写入低至55MB/s

虽然是面向数据中心的,而且支持PCI-E 3.0 x4、NVMe,但这批硬盘的性能并不突出,最高端的1TB型号持续读写1800MB/s、175MB/s,随机读写114000 IOPS、9000 IOPS,128GB型号更是仅仅720MB/s、55MB/s、27000 IOPS、2200 IOPS。

没错,写入性能很一般,尤其是128GB持续和随机写入才区区55MB/s、2200 IOPS,有点惨不忍睹,显然更适合读取密集型应用,比如流媒体、Web服务器等。

寿命方面,四款型号的终生写入量分别为72、145、300、580TB,支持三年每天0.52次全盘写入、五年每天0.31次,平均故障间隔时间160万小时,另支持AES-256硬件加密。

Intel发布数据中心DC P3100 SSD:3D TLC闪存、写入低至55MB/s

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