剑客
关注科技互联网

涉嫌侵犯FinFET专利 三星、高通、GF在韩被告

除了智能手机知名之外,三星还是全球重要的半导体公司,在2016年TOP20半导体公司中营收排名第二,仅次于Intel,领先于TSMC台积电

在FinFET代工上,三星也比TSMC公司抢先量产14nm FinFET工艺,不仅为高通代工骁龙820/821处理器,还把14nm工艺工艺授权给了AMD好基友GlobalFoundries公司。

三星为何在FinFET工艺上领先?TSMC早前指责三星剽窃了他们的工艺技术,现在韩国KAIST(韩国科学与技术学院)把三星告上了法庭,指控他们侵犯了KAIST的FinFET专利,一同挨告的还有高通和GlobalFoundries两家。

涉嫌侵犯FinFET专利 三星、高通、GF在韩被告

虽然普通人没听过KAIST(韩国科学与技术学院)的名头,不过他们去年是非美国院校在美国申请专利第二多的高校,申请了105项专利,排名第一的则是中国清华大学,申请了185项专利,因此KAIST在科研实力上还是很有底气的,他们这次通过管理专利的子公司KAIST IP在美国德州联邦法院提起了法律诉讼,指控三星、GF及高通侵犯了他们编号为6885055的美国专利——一种双栅极FinFET设备及其制造方法。

根据KAIST所述,2001年还在韩国圆光大学任职的教授Lee Jong-ho提出了这种技术,三星当时对FinFET工艺并没有任何兴趣。不过在Intel率先推出类似FinFET工艺的3D晶体管技术之后,三星邀请了Lee教授给自家工程师演讲,获得了这种专利技术。

KASIT IP指出,三星盗用Lee教授的技术可以节省大量开发时间和成本,但却没有支付任何专利费。他们指责三星还在持续侵犯该技术,丝毫不考虑Lee教授的权益或者适当的补偿。

由于三星的14nm FinFET工艺不仅自己用,还授权给了GlobalFoundries公司,并为高通公司代工处理器,因此后面两家也一起被告上了法庭。

对于这些指控,三星公司表示正在调查指控情况,他们强调从2000年代初期就开始研发3D半导体技术,拥有FinFET相关专利

PS:早前TSMC指责三星挖走了TSMC前研发部门高管Liang Mong-song,后者带着技术资料跳槽,他们认为三星在14nm FinFET工艺上进展迅速就是靠着TSMC的技术,不过TSMC跟三星之间只是打了嘴仗,TSMC并没有起诉三星。这次KAIST不同了,直接向法院起诉了,显然是有备而来。

另外,FinFET技术的发明人是胡正明教授,不知道他申请了多少专利。

分享到:更多 ()

评论 抢沙发

  • 昵称 (必填)
  • 邮箱 (必填)
  • 网址