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三星成立闪存特别工作组 提高在128层V-NAND芯片生产竞争力

浏览:出处:IT之家2020-06-18 15:27

  据sammobile报道,三星目前已经成立了一个特别工作组,以提高其闪存的产量。

  继三星去年实现量产128层第六代NAND闪存芯片后,又在两个月前宣布将完成160层第七代NAND闪存芯片的开发,目前看来三星已经将对手远远甩在身后。

  据了解,NAND 闪存芯片中的层数越高,存储容量就越高。目前,内存芯片使用的层数最高为128层,但三星有望在不久后完成160层或更高芯片的开发和生产。

  三星电子在全球存储市场内是当之无愧的第一大厂商。为了提高在128层V-NAND芯片生产中的竞争力,三星成立了一个特别工作组,成员包括三星设备解决方案(SDS)制造技术中心以及负责NAND闪存生产的部门的高管。新团队将解决芯片生产过程中出现的任何问题,并负责监督提高整个流程的生产率。

  Sammobile称,三星在赢得了128层NAND的市场竞争后并没有满足,该公司希望进一步提高差距,待到英特尔和长江存储的产量和质量赶上时,其可以转向160层技术。

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