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消息称华为已提出适用于3D-DRAM的CAA晶体管 亚阈值摆幅为92mV/decade

浏览:出处:爱集微2022-05-31 13:19

  中国通信设备巨头华为提出了一种适用于 3D-DRAM 构建的垂直通道全能(channel-all-around,CAA)晶体管。

  据 eeNews 报道,该提案被包含在一篇论文中,将在 2022 年 IEEE 超大规模集成电路技术和电路研讨会上提交,该研讨会定于 6 月 12 日至 17 日在夏威夷檀香山举行。

  该器件是一种铟镓氧化锌(IGZO)场效应晶体管(FET),其 IGZO、高 k 电介质氧化铪和 IZO 层围绕一个垂直柱排列。IGZO 厚度约为 3nm。HfOx 和 IZO 的厚度约为 8nm。垂直方向的通道长度为 55nm,平面内的临界尺寸为 50nm。

  该晶体管在 Vth+1V 时达到 32.8microamps / micron 的电流密度,亚阈值摆幅为 92mV / decade。

  作者声称,在-40 摄氏度到 + 120 摄氏度之间,该晶体管具有良好的热稳定性和可靠性,有望成为未来超越 1-alpha 节点的高性能 3D-DRAM 的候选产品。

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